半导体物理基础

　　目录前言第1章 掺杂半导体的导电性 11.1 掺杂和载流子 11.2 电导率和电阻率 41.3 迁移率 101.4 测量电阻率的四探针方法 161.5 扩散薄层的方块电阻 19第2章 能级和载流子 282.1 量子态和能级 292.2 多子和少子的热平衡 372.3 费米能级 432.4 电子的平衡统计分布规律 532.5 非平衡载流子的复合 662.6 非平衡载流子的扩散 74第3章 pn结 813.1 pn结的电流电压关系 813.2 空间电荷区中的复合和产生电流 933.3 晶体管的电流放大作用 1033.4 高掺杂的半导体和归结 1103.5 归结的击穿 1163.6 归结的电容效应 1363.7 金属-严导体接触 144第4章 半导体表面 1614.1 表面空间电荷区及反型层 1614.2 MIS电容器理想C（V）特性 1704.3 实际MIS电容器的C（V）特性及应用 1814.4 硅二氧化硅系统的性质 1904.5 MO 场效应晶体管 …
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　　《半导体物理基础》主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。

　　目录前言第1章 掺杂半导体的导电性 11.1 掺杂和载流子 11.2 电导率和电阻率 41.3 迁移率 101.4 测量电阻率的四探针方法 161.5 扩散薄层的方块电阻 19第2章 能级和载流子 282.1 量子态和能级 292.2 多子和少子的热平衡 372.3 费米能级 432.4 电子的平衡统计分布规律 532.5 非平衡载流子的复合 662.6 非平衡载流子的扩散 74第3章 pn结 813.1 pn结的电流电压关系 813.2 空间电荷区中的复合和产生电流 933.3 晶体管的电流放大作用 1033.4 高掺杂的半导体和归结 1103.5 归结的击穿 1163.6 归结的电容效应 1363.7 金属-严导体接触 144第4章 半导体表面 1614.1 表面空间电荷区及反型层 1614.2 MIS电容器理想C（V）特性 1704.3 实际MIS电容器的C（V）特性及应用 1814.4 硅二氧化硅系统的性质 1904.5 MO 场效应晶体管 1954.6 电荷藕合器件 208第5章 晶格和缺陷 2195.1 晶格 2205.2 空位和间隙原子 2405.3 位错 2485.4 层错 2645.5 相变和相图 272
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　　《半导体物理基础》主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。