国外名校最新教材精选：半导体器件物理（第3版）

　　译者序
　　前言
　　导言
　　第1部分 半导体物理
　　第1章 半导体物理学和半导体性质概要
　　1.1 引言
　　1.2 晶体结构
　　1.3 能带和能隙
　　1.4 热平衡时的载流子浓度
　　1.5 载流子输运现象
　　1.6 声子、光学和热特性
　　1.7 异质结和纳米结构
　　1.8 基本方程和实例
　　第2部分 器件的基本构件
　　第2章 p-n结二极管
　　2.1 引言
　　2.2 耗尽区
　　2.3 电流-电压特性
　　2.4 结击穿
　　2.5 瞬变特性与噪声
　　2.6 端功能
　　2.7 异质结
　　第3章 金属-半导体接触
　　3.1 引言
　　3.2 势垒的形成
　　3.3 电流输运过程
　　3.4 势垒高度的测量
　　3.5 器件结构
　　3.6 欧姆接触
　　第4章 金属-绝缘体-半导体电容
　　4.1 引言
　　4.2 理想MIS电容
　　4.3 硅MOS电容
　　第3部分 晶体管
　　第5章 双极晶体管
　　5.1 引言
　　5.2 静态特性
　　5.3 微波特性
　　5.4 相关器件结构
　　5.5 异质结双极晶体管
　　第6章 MOS场效应晶体管
　　6.1 引言
　　6.2 器件的基本特性
　　6.3 非均匀掺杂和埋沟器件
　　6.4 器件按比例缩小和短沟道效应
　　6.5 MOSFET的结构
　　6.6 电路应用
　　6.7 非挥发存储器
　　6.8 单电子晶体管
　　第7章 JFET，MESFET和MODFET器件
　　7.1 引言
　　7.2 JFET和MODFET
　　7.3 MODFET
　　第4部分 负阻器件和功率器件
　　第8章 隧道器件
　　8.1 引言
　　8.2 隧道二极管
　　8.3 相关的隧道器件
　　8.4 共振遂穿二极管
　　第9章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
　　第10章 转移电子器件和实空间转移器件
　　第11章 晶闸管和功率器件
　　第5部分 光学器件和传感器
　　第12章 发光二极管和半导体激光器
　　第13章 光电探测器和太阳电池
　　第14章 传感器
　　附录
　　A.符号表
　　B.国际单位制
　　C.单位词头
　　D.希腊字母表
　　E.物理常数
　　F.重要半导体的特性
　　G.Si和GaAs的特性
　　H.SiO2和Si3N4的特性

　　施敏，（S.M.SZE），获斯坦福大学电气工程专业博士学位，1963-1989年在贝尔实验室工作，1990年起在台湾新竹交通大学（NCTU）电子工程系任教，施敏博士现在为NCTU的讲座教授和斯坦福大学的顾问教授，并担任多所院校及研究机构的客座教授，他对半导体器件有着基础性和先驱性的贡献，特别重要的是他合作发明了非挥发存储器，如闪存和EEPROM。施敏博士已经作为作者和合作作者发表学术论文200余篇、专著12部，他的《半导体器件物理》（Wiley出版）一书是同时代工程和应用科学出版物中被引用最多的著作（由ISI统计，引用超过15000条）。施敏博士获得过多项奖励，为IEEE的终身会士、台湾中央研究院院士和姜国国家工程院院士。伍国珏（KWOKK．NG），1979年获哥伦比亚大学电气工程专业博士学位，1975年获罗格斯大学电气工程专业学士学位。1980年进入位于新泽西州MurrayHill的AT&T贝尔实验室，1996年作为朗讯科技的一部分剥离出来．后来隶属于宾夕法尼亚州Allentown的杰尔系统（AgereSystems），2001年作为微电子部独立出来。2005至2007年期间．他在加利福尼亚州SanJose的MVC和北卡罗莱纳州Durham的半导体研究公司工作。伍国珏博士还扭任IEEEEle，ctronicLetters编辑及IEEE出版社的联络员，他是《半导体器件完全指导》（CompleteguidetoSereicondtIClOrDevices）第2版（Wiley出版）的作者。

　　《国外名校最新教材精选：半导体器件物理（第3版）》这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。《半导体器件物理》（第3版）专为研究生教材和参考所需设计，新版本包括：以最新进展进行了全面更新；包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述；对内容进行了重新组织和安排；各章后面配备了习题；重新高质量地制作了书中的所有插图。